摘要：
电磁辐射到军械上是危险的，潜在的电磁辐射对军工品或电子爆炸装置有不利影响，自从50 年代以来这就是众所周知的问题。为了避免不必要的爆炸或电起爆装置（EID）从发射电磁能量增殖，这对于所有的防卫机构来说是必不可少的。伴随着功率输出和发射设备频率范围的持续增加，减小此威胁变得至关重要。为了确保大炮和军火系统保持安全，在适当维护条件下，测量电子爆炸装置（ EED）上电磁能量影响的测试设备有很大发展。几年后基于光纤技术的新一代仪器取代了使用热电偶或红外探测的系统。光纤传感器（ FOS）具有高精度和高准确性，非常灵敏，提供的响应时间可满足高效的EED。由于电绝缘的特性，光纤传感器对电磁干扰（EMI）完全免疫，在感应环境中可表现出来。由于此有利的参数，基于光纤技术的传感器现已成为HERO/RADHAZ 测试的标准。然而，什么是该技术必要的条件以提供EED 装置可靠的辐射评估仍然没有明确，怎样去完全发挥此技术优势以完全获益呢？

1.1 技术
HERO/RADHAZ 测试方法在此节会描述，它基于一个非常灵敏和精确的光纤感应技术SCBG（半导体能带隙）技术。基于SCBG 的光纤传感器设计于测量EED 桥线丝或类似装置的电磁诱导温度上升。SCBG 是一个成熟的技术，使用简单而耐用的光谱测量技术。技术原理是温度依靠于光传输到GaAs 晶体。简单的说，对于低于一个特殊波长过渡区域（叫能带隙）的所有光波长，GaAs 晶体是一个不透明的材料；相反的，对于高于此能带隙的所有波长，GaAs 晶体是一个可透过的材料。波长过渡区域，也就是能带隙光谱位置是温度的函数。为了监控温度而测量能带隙光谱位置的改变就是SCBG 技术的原理。
SCBG 技术的原理图如图1 所示。光纤温度传感器由黏在光纤顶部的微小GaAs 晶体组成。光从信号解调器注射到光纤，导向GaAs 晶体。随后低于能带隙光谱位置的光波被吸收，而那些高于能带隙的波长则反射回信号解调器。反射回信号解调器的光进入到一个小型的光谱分析仪（OSA），把光空间分解成波长成份。一个光学探测器的线性CCD 阵列测量这些波长的光强度，CCD 阵列的每一个像素相当于一个特殊的校准波长。因此，整个探测器阵列提供反射回GaAs晶体的光谱强度分布。

1.2 必备的条件
对EMI 完全免疫由于HERO/RADHAZ 的特性要求和应用，比如EED 电磁兼容测试和评估。传感器必须对EMI 完全免疫，而SCBG 技术提供了完全的EMI 免疫。对光缆移动，震动和操控的抵抗力为了提供可靠和精确的结果，传感器必须表现出非测量影响或光纤移动的敏感性。同样的，传感器不应该对机械震动敏感，对光纤弯曲和光纤连接/断开也是如此。这些性能支持超过一个连接头而传感器的灵敏度和精度没有任何降低。外部干扰会产生重大输出读取误差和无用的测量结果，比如使用光纤干涉测量技术为例。SCBG 技术的光谱测量原理提供了对此影响的完全免疫。例如，可使用多个连接头而对测量精度没有任何影响。此外，传感器可在高震动环境下使用，比如战斗机的建立。

• ▪ 电磁辐射对军械的危险性测试/PDF